近日，物理与天文空间学院程鹏博士（通讯作者）与中国科学院合肥物质科学研究院合作完成的研究成果《Pressure-Induced Schottky-Ohmic Contact Transition in Pt/Si Heterojunction Via Interfacial Barrier Modulation for Ultra-Enhanced Photocurrent Generation》在自然指数期刊《The Journal of Physical Chemistry Letters》（2025年中科院期刊分区大类2区TOP期刊、小类1区期刊，IF=4.5）发表。

论文围绕硅基金属-半导体接触界面的肖特基势垒调控开展系统研究。肖特基势垒高度是制约硅基光电器件性能的核心参数，传统调控手段难以实现动态可逆调节。团队采用金刚石对顶砧高压技术研究Pt/Si异质结发现：势垒随压力升高以−165.8 meV/GPa速率持续下降，在4.3 GPa 时完全消除，实现肖特基接触向欧姆接触转变；经对照实验验证，性能提升核心源于界面势垒调控。该接触转变使器件在激光激发下，光电流提升。研究表明压力通过调控界面间隙态密度、重构能带结构实现势垒调节，为高性能硅基光电探测器、压敏光电器件设计提供了新的实验依据与物理思路。（撰稿：程鹏 审核：闻军）

论文链接：https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.6c00816